本篇文章给大家谈谈mos管w和l指什么，以及mos管字母含义对应的知识点，希望对各位有所帮助，不要忘了收藏本站喔。

本文目录一览：

• 1、MOSFET中跨导的计算问题
• 2、mos管漏极电流怎么计算?
• 3、...VD、R、XP、W、ZD、RP、L、Z,各自代表什么?电路板上其他符号又代表什...
• 4、MOS管漏极电流怎样算的?
• 5、耦合微带线W,S,L,W1,W2代表什么?
• 6、MOS管中宽长比W/L中的W和L分别代表什么?全名

MOSFET中跨导的计算问题

1、在饱和区内，选择一个输入电压（V（DS）对应的输出电流（I（D）：这个输入电压和输出电流的组合代表了MOSFET的跨导。通常情况下，我们选择最大的输出电流对应的输入电压来确定跨导。

2、跨导（Transconductance）是电子元件的一项属性。电导（G）是电阻（R）的倒数；而跨导则指输出端电流的变化值与输入端电压的变化值之间的比值。跨阻（转移电阻），也常常被称为互阻，是跨导的双重性。

3、可以的，不过需要其它参数。比如，在童诗白的《模拟电子技术基础》第四版P120页中的近似计算公式1就给了N沟道增强型MOSFET的gm计算公式，反过来就可以算出IDQ了。

4、导通电压，在你Vds=Vgs=0V（最小值）的时候（也就是晶体管导通并且处于饱和区时候），Id=250uA。

mos管漏极电流怎么计算?

ID = 0.5 * μn * Cox * [（W / L） * （VGS - Vth）^2]其中：ID 代表漏极电流（Drain Current）。μn 是电子迁移率，反映了电子在半导体中的移动速度。Cox 是栅极氧化层的电容。W 是沟道的宽度。

Id=gm*Vgs Id是漏极电流，gm是跨导，Vgs是栅源电压。

这种方案要用到一个NMOS和一个PMOS组合使用，NMOS作为下管控制PMOS的输出。

MOS管中也不会有电流，也即管子处在截止状态。转移特性 反映漏极电流iD和栅源电压uGS关系的曲线叫做转移特性曲线，简称为转移特性，也就是表示函数 iD=f（uGS）|uDS的几何图形。当uGSUTN时，MOS管是截止的。

接着，来估计MOS 管的跨导。此时，单位漏极偏置电流下，MOS管的跨导为则算得此时MOS 管的跨导为 125mS，比 10mA漏极偏置电流下的跨导要大。然而，由于漏极偏置电阻的减小，MOS管的电压增益变为 19倍。

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1、这个以Z标识的元件，是稳压二极管。电路板上的这些标识其实都是标准的，看来你是初学电路吧。

2、D或CR：二极管（diode）。3，F：保险丝（fuse）。4，IC：集成电路（integrated circuit）。5，L：电感（inductor）。6，LED：发光二极管（light emitting diode）。7，Q：三极管（transistor）。

3、D表示二极管，C表示电容，R表示电阻，Q这个不太规范，一般表示三极管，有时也表示场效应管，J通常表示继电器，IC是集成电路。

4、电路板中有很多符号，它们都代表：电阻在电路中用“R”加数字表示。电容在电路中一般用“C”加数字表示。晶体二极管在电路中常用“D”加数字表示。

MOS管漏极电流怎样算的?

ID = 0.5 * μn * Cox * [（W / L） * （VGS - Vth）^2]其中：ID 代表漏极电流（Drain Current）。μn 是电子迁移率，反映了电子在半导体中的移动速度。Cox 是栅极氧化层的电容。W 是沟道的宽度。

当通道的控制电压较低时，通道内的电流较小；当通道的控制电压较高时，通道内的电流较大。MOS管的工作原理可以用下图所示的电路来解释：图中的R1和R2分别表示MOS管的基极和漏极。

MOS管中也不会有电流，也即管子处在截止状态。转移特性 反映漏极电流iD和栅源电压uGS关系的曲线叫做转移特性曲线，简称为转移特性，也就是表示函数 iD=f（uGS）|uDS的几何图形。当uGSUTN时，MOS管是截止的。

问题MOS管的漏电流 在微型可穿戴设备中，对于电池的功耗要求很高，所以为了省电，其实电路也是很多的，最省电的无疑就是直接断开电池的供电了。这种方案要用到一个NMOS和一个PMOS组合使用，NMOS作为下管控制PMOS的输出。

流向漏极d。电流方向由d指向s，称为漏极电流id.。由于导电沟道是n型的，故称为n沟道结型场效应管。场效应管（包括结型和绝缘栅型）的漏极与源极通常制成对称的，漏极和源极可以互换使用。

耦合微带线W,S,L,W1,W2代表什么?

1、U..V..W..是电动机的3个绕组，U1V1W1代表绕组的3个头，u2v2w2代表绕组的三个尾。

2、L1 L2 L3 是来电方向的线路编号，W1 W2 W3 是去往方向的线路编号，一般在对应实体线路两头的套管上标写着对应的编号，以备装接和修理查找线路。

3、U、V、W是电动机的3个绕组，UVW1代表绕组的3个首端，UVW2代表绕组的三个尾端。分出来6个同名端，是为了星形和三角形接法灵活运用。

4、图1所示的长为L，宽为W2的矩形微带天线元可以看作一般的传输线连接两个辐射缝组成。低特性阻抗的传输线是由微带馈线扩展其宽度W1为W2而成，其长度L为半个微带波长，即λg/2。

5、UU2是第一相绕组的首尾端（旧标号是DD4）； VV2是第二相绕组和首尾端（旧标号是DD5）； WW2是第三相绕组的首尾端（旧标号是DD6）。

MOS管中宽长比W/L中的W和L分别代表什么?全名

1、W/L：氧化层宽长比。Vgs-Vth：为过驱动电压。

2、长度单位L是代表长，英文全称是“Length”；W是代表宽，英文全称是“width”。长度是一维空间的度量，为点到点的距离。通常在量度二维空间中量度直线边长时，称呼长度数值较大的为长，不比其值大或者在“侧边”的为宽。

3、LWH这三个尺寸分别是指长、高、宽。L是长度length，H是高度height，W是宽度width。

4、如果两个inv，按照对称设计PMOS和NMOS 的宽长比之比为2：1，那么一个inv的NMOS的（W/L）为1，另一个（W/L）为5，则后者的驱动能力就是前者的5倍。因此，并不是像你问的那样，为什么inv可以增大驱动能力。

5、L是长度，W是宽度，H是高度，这三个尺寸就是长、宽、高。在工程技术方面各行业单位不同。机械行业用毫米为基本单位。土木工程用厘米为基本单位。道桥工程用米、公里为基本单位。农村丈量用丈、尺、寸为基本单位。

6、长度单位L是代表长，英文全称是“Length”W是代表宽，英文全称是“width”长度是一维空间的度量，为点到点的距离通常在量度二维空间中量度直线边长时，称呼长度数值较大的为长，不比其值大或者在“侧边”的为宽所。

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